42270907_1_500

Силовой модуль IGBT SKM200GB123D

Поставка электронных компонентов в Уфу

8.100,00 руб.

x 8.100,00 = 8.100,00
Артикул: 1087265 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней8.100,00руб.7.533,00руб.7.128,00руб.6.885,00руб.6.642,00руб.6.520,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней9.153,00руб.8.262,00руб.8.100,00руб.7.776,00руб.7.533,00руб.7.371,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней9.882,00руб.8.910,00руб.8.667,00руб.8.424,00руб.7.938,00руб.7.452,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней9.639,00руб.8.667,00руб.8.505,00руб.8.181,00руб.7.857,00руб.7.411,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней13.770,00руб.12.393,00руб.12.150,00руб.11.664,00руб.11.259,00руб.10.287,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней13.689,00руб.12.312,00руб.12.052,80руб.11.583,00руб.11.178,00руб.10.206,00руб.

Характеристики

IGBT MODULE, HALF BRIDGE
Transistor Type IGBT Module
Transistor Polarity N Channel
Voltage, Vces 1200V
Current Ic Continuous a Max 200A
Voltage, Vce Sat Max 3V
Case Style SEMITRANS 3
Termination Type Screw
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V
Current Ic Continuous b Max 180A
Current Ic av 200A
Current, Icm Pulsed 400A
External Depth 51.4mm
External Length / Height 30.5mm
Fixing Centres 93mm
Fixing Hole Diameter 6.4mm
Power, Pd 1380W
Power, Ptot 1380W
Temperature, Current 25 C
Time, Rise 100ns
Transistors, No. of 2
Width, External 105.4mm

Дополнительная информация

Бренд

Semikron