IGBT-POWER-MODULE-SKM200GAH123DKL

SKM200GAH123DKL 200A1200V силовой модуль

Поставка электронных компонентов в Уфу

11.200,00 руб.

x 11.200,00 = 11.200,00
Артикул: 1091976 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней11.200,00руб.10.416,00руб.9.856,00руб.9.520,00руб.9.184,00руб.9.016,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней12.656,00руб.11.424,00руб.11.200,00руб.10.752,00руб.10.416,00руб.10.192,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней13.664,00руб.12.320,00руб.11.984,00руб.11.648,00руб.10.976,00руб.10.304,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней13.328,00руб.11.984,00руб.11.760,00руб.11.312,00руб.10.864,00руб.10.248,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней19.040,00руб.17.136,00руб.16.800,00руб.16.128,00руб.15.568,00руб.14.224,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней18.928,00руб.17.024,00руб.16.665,60руб.16.016,00руб.15.456,00руб.14.112,00руб.

Характеристики

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Transistor Configuration
Серия
Производитель
Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
200 A
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
61.4мм
Высота
30мм
Число контактов
7
Размеры
106.4 x 61.4 x 30мм
Конфигурация
Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N