b41c8a8a5c691028b862433deaed07b9

PSMN2R4-30MLD, МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Уфу

79,00 руб.

x 79,00 = 79,00
Артикул: 1135006 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней79,00руб.73,47руб.71,10руб.69,52руб.64,78руб.63,20руб.61,62руб.56,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней142,99руб.131,14руб.128,77руб.125,61руб.116,92руб.114,55руб.111,39руб.100,33руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней184,86руб.170,64руб.166,69руб.162,74руб.151,68руб.147,73руб.144,57руб.129,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней94,80руб.86,90руб.85,32руб.82,95руб.77,42руб.75,84руб.73,47руб.66,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней182,49руб.168,27руб.164,32руб.160,37руб.155,63руб.150,10руб.142,20руб.127,98руб.

Характеристики

PSMN2R4-30MLD, МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 30 В The PSMN2R4-30MLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET optimised for 4.5V gate drive. NextPowerS3 portfolio utilising NXP’s unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

• Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
• Superfast switching with soft-recovery (s-factor>1)
• Low spiking and ringing for low EMI designs
• Unique SchottkyPlus technology
• Schottky-like performance with

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

5вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-1210
Рассеиваемая Мощность

91Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

70А