Заполнитель

NGTB60N60SWG, БТИЗ транзистор, 120 А, 2 В, 298 Вт, 600 В

Поставка электронных компонентов в Уфу

370,00 руб.

x 370,00 = 370,00
Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней370,00руб.344,10руб.333,00руб.325,60руб.314,50руб.296,00руб.288,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней695,60руб.640,10руб.629,00руб.614,20руб.592,00руб.558,70руб.543,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней706,70руб.651,20руб.636,40руб.621,60руб.592,00руб.562,40руб.551,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней444,00руб.407,00руб.399,60руб.388,50руб.377,40руб.355,20руб.344,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней643,80руб.592,00руб.577,20руб.566,10руб.547,60руб.514,30руб.499,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней403,30руб.373,70руб.362,60руб.355,20руб.344,10руб.321,90руб.314,50руб.

Характеристики

NGTB60N60SWG, БТИЗ транзистор, 120 А, 2 В, 298 Вт, 600 В IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

298Вт

DC Ток Коллектора

120А