NDS356AP, МОП-транзистор, P Канал, 1.1 А, -30 В, 300 мОм

Поставка электронных компонентов в Уфу

35,00 руб.

Артикул: 1134677 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	35,00руб.	32,55руб.	31,50руб.	30,80руб.	28,70руб.	28,00руб.	27,30руб.	25,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	63,35руб.	58,10руб.	57,05руб.	55,65руб.	51,80руб.	50,75руб.	49,35руб.	44,45руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	81,90руб.	75,60руб.	73,85руб.	72,10руб.	67,20руб.	65,45руб.	64,05руб.	57,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	42,00руб.	38,50руб.	37,80руб.	36,75руб.	34,30руб.	33,60руб.	32,55руб.	29,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	80,85руб.	74,55руб.	72,80руб.	71,05руб.	68,95руб.	66,50руб.	63,00руб.	56,70руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NDS356AP, МОП-транзистор, P Канал, 1.1 А, -30 В, 300 мОм The NDS356AP is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. Suitable for low voltage applications such as battery powered circuits for fast high side switching and low in-line power loss.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
• ±20V Gate-source voltage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	500мВт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-30В
Непрерывный Ток Стока	1.1А