67

NDS0610, МОП-транзистор, P Канал, 120 мА, -60 В, 10 Ом

Поставка электронных компонентов в Уфу

25,00 руб.

x 25,00 = 25,00
Артикул: 1134675 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней25,00руб.23,25руб.22,50руб.22,00руб.20,50руб.20,00руб.19,50руб.18,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней45,25руб.41,50руб.40,75руб.39,75руб.37,00руб.36,25руб.35,25руб.31,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней58,50руб.54,00руб.52,75руб.51,50руб.48,00руб.46,75руб.45,75руб.41,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней30,00руб.27,50руб.27,00руб.26,25руб.24,50руб.24,00руб.23,25руб.21,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней57,75руб.53,25руб.52,00руб.50,75руб.49,25руб.47,50руб.45,00руб.40,50руб.

Характеристики

NDS0610, МОП-транзистор, P Канал, 120 мА, -60 В, 10 Ом The NDS0610 is a P-channel enhancement-mode FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.

• Voltage controlled p-channel small signal switch
• High density cell design for low RDS (ON)
• High saturation current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

300мВт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-60В
Непрерывный Ток Стока

120мА