Заполнитель

IPP50R190CEXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 18.5 А, 500 В

Поставка электронных компонентов в Уфу

160,00 руб.

x 160,00 = 160,00
Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней160,00руб.148,80руб.144,00руб.140,80руб.136,00руб.128,00руб.124,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней300,80руб.276,80руб.272,00руб.265,60руб.256,00руб.241,60руб.235,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней305,60руб.281,60руб.275,20руб.268,80руб.256,00руб.243,20руб.238,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней192,00руб.176,00руб.172,80руб.168,00руб.163,20руб.153,60руб.148,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней278,40руб.256,00руб.249,60руб.244,80руб.236,80руб.222,40руб.216,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней174,40руб.161,60руб.156,80руб.153,60руб.148,80руб.139,20руб.136,00руб.

Характеристики

IPP50R190CEXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 18.5 А, 500 В The IPP50R190CE is a CoolMOS™ CE N-channel Power MOSFET optimized platform enabling to target cost sensitive applications by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching super-junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best performance ratio available on the market. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ CE series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation while representing a cost appealing alternative compared to standard MOSFETs in target applications. The resulting devices provide all benefits of a fast switching SJMOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

• High body diode ruggedness
• Reduced reverse recovery charge (Qrr)
• Reduced gate charge (Qg)
• Easy control of switching behaviour
• Better light load efficiency compared to previous CoolMOS™ generations
• Outstanding quality and reliability of CoolMOS™ technology
• Extremely low losses due to very low FOM RDS (ON), Qg and Eoss
• Very high commutation ruggedness
• Easy to use/drive
• Halogen-free, Green device
• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

to-220

Рассеиваемая Мощность

127Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

500в

Непрерывный Ток Стока

18.5А