ecd356de27d30e98365303597ec45fdb

Микросхема BTS723GW, Верхний ключ, 2-канала, 8А, [P-DSO-14]

Поставка электронных компонентов в Уфу

333,20 руб.

x 333,20 = 333,20
Артикул: 1116286 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней333,20руб.309,88руб.299,88руб.293,22руб.283,22руб.266,56руб.259,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней626,42руб.576,44руб.566,44руб.553,11руб.533,12руб.503,13руб.489,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней636,41руб.586,43руб.573,10руб.559,78руб.533,12руб.506,46руб.496,47руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней399,84руб.366,52руб.359,86руб.349,86руб.339,86руб.319,87руб.309,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней579,77руб.533,12руб.519,79руб.509,80руб.493,14руб.463,15руб.449,82руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней363,19руб.336,53руб.326,54руб.319,87руб.309,88руб.289,88руб.283,22руб.

Характеристики

BTS723GW, Верхний ключ, 2-канала, 8А, [P-DSO-14]The BTS723GW is a 2-channel high-side Power Switch providing embedded protection functions. The device is monolithically integrated in smart SIPMOS® technology. The power transistor is built by N-channel-planar power MOSFET with a charge pump which boosts the battery voltage. The inputs are ground referenced CMOS compatible.

• Improved electromagnetic compatibility
• Fast demagnetization of inductive loads
• Stable behaviour at under-voltage
• Logic ground independent from load ground
• Wide operating voltage range
• Optimized inverse current capability
• Short-circuit protection
• Overload protection
• Current limitation
• Thermal shutdown
• Overvoltage protection
• Loss of ground and loss of VBB protection
• Reverse battery protection with external resistor