43

SIS412DN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Уфу

63,00 руб.

x 63,00 = 63,00
Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней63,00руб.58,59руб.56,70руб.55,44руб.51,66руб.50,40руб.49,14руб.45,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней114,03руб.104,58руб.102,69руб.100,17руб.93,24руб.91,35руб.88,83руб.80,01руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней147,42руб.136,08руб.132,93руб.129,78руб.120,96руб.117,81руб.115,29руб.103,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней75,60руб.69,30руб.68,04руб.66,15руб.61,74руб.60,48руб.58,59руб.52,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней145,53руб.134,19руб.131,04руб.127,89руб.124,11руб.119,70руб.113,40руб.102,06руб.

Характеристики

SIS412DN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В The SIS412DN-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• 100% Rg Tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

PowerPAK 1212

Рассеиваемая Мощность

15.6Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

12А