MMBT2907ALT1G, (Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]

Поставка электронных компонентов в Уфу

3,00 руб.

Артикул: 1123541 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Уфу уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	3,00руб.	2,79руб.	2,70руб.	2,64руб.	2,46руб.	2,40руб.	2,34руб.	2,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	5,43руб.	4,98руб.	4,89руб.	4,77руб.	4,44руб.	4,35руб.	4,23руб.	3,81руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	7,02руб.	6,48руб.	6,33руб.	6,18руб.	5,76руб.	5,61руб.	5,49руб.	4,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	3,60руб.	3,30руб.	3,24руб.	3,15руб.	2,94руб.	2,88руб.	2,79руб.	2,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	6,93руб.	6,39руб.	6,24руб.	6,09руб.	5,91руб.	5,70руб.	5,40руб.	4,86руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MMBT2907ALT1G, (Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]The MMBT2907ALT1G is a -60V PNP silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

• Halogen-free/BFR-free
• -60VDC Collector to base voltage (VCBO)
• -5VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• -1200mADC Peak collector current
• 556 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Дополнительная информация

Корпус	sot23
Структура	pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.3